Renesas Blog
ルネサスブログ
【2月26日】萩原エレクトロニクスウェビナー開催のお知らせ
「インダクティブ ポジション センサ（IPS）徹底解説」 車載システムを中心に需要が高まるポジション検出。各方式の基礎から、ルネサス製インダクティブポジションセンサの特長・優位性、アプリ事例、デモなど解説します。開発でノイズ・精度・サイズに課題のある方におすすめです。
コラム
シリコンを超える性能！ Renesas GaNスイッチの秘密
ルネサスエレクトロニクスのGaNパワースイッチについて、その構造や動作原理、逆回復特性を解説した技術コラムを公開しました。 本コラムでは、低耐圧Si MOSFETとGaN HEMTを組み合わせたカスコード構成の特徴や、順方向・逆方向それぞれの動作モードに加え、実測データに基づく逆回復特性試験の結果を紹介しています。 特に、従来のSi MOSFET（CoolMOS）との比較により、ルネサスGaNスイッチの低Qrr特性と高速スイッチング時のメリットを分かりやすく解説しています。 インバータ回路やトーテンポールPFCなど、高速・高効率が求められる電源設計に携わる方は、ぜひご覧ください。
第5世代R-Car SoC向け開発プラットフォーム「R-Car Open Access（RoX）」を拡充し、SDV開発を加速
ルネサス エレクトロニクスは、SDV開発の加速を目的に、第5世代R-Car SoC向け開発プラットフォーム「R-Car Open Access（RoX）」を拡充した。今回、R-Car X5Hのフル機能を評価可能なボードと、同SoC向けソフトウェア群「RoX Whitebox」の提供を開始し、迅速な開発環境を整えた。R-Car X5Hは2025年上期より一部顧客・パートナにサンプル提供を開始しており、CES 2026ではマルチドメインデモを展示。
RAマイコンを拡充し、スマート家電やIoT向けにWi-Fi 6およびBluetooth LE対応のRA6シリーズを発表
ルネサスはWi-Fi 6対応32ビットRAマイコンを拡充し、デュアルバンド対応「RA6W1」とモジュール「RRQ61001」、Wi-Fi 6とBluetooth LE両対応「RA6W2」とモジュール「RRQ61051」を発表。低消費電力で常時無線接続が可能で、スマート家電やIoTに最適。RA6W1関連製品は2025年12月発売、RA6W2は2026年初頭に発売予定。
DDR5サーバ用に9600MT/s対応の第6世代クロックドライバ提供開始
ルネサス エレクトロニクスは、サーバ用DDR5 RDIMM向けに第6世代レジスタードクロックドライバ「RRG5006x」を開発。業界最速クラスの9600MT/sを実現し、従来比10％高速化。次世代サーバ要件に対応し、堅牢性・信頼性・拡張性を備える。サンプル出荷開始、量産は2027年上半期予定。
【ルネサス新製品情報】1GHz動作・MRAM搭載32ビットマイコン「RA8M2」「RA8D2」発売開始！
RA8M2は高性能CPUで多用途に対応し、RA8D2はグラフィックス表示やHMI向けに周辺機能を最適化。これにより、AI向けRA8P1、モータ制御向けRA8T2と合わせて、RA8シリーズの新世代ラインアップが完成し、量産も開始された。
ルネサス、次世代パワー半導体ソリューションで800V直流AIデータセンターアーキテクチャを実現
NVIDIAが発表した800V直流電源アーキテクチャに対応し、高効率な電力変換と電力供給を支えることで、よりスマートで高速な次世代AIインフラの実現に貢献することを発表しました。
モータの角度センサ「誘導型位置センサIC」の3製品と、設計を容易化するWebベースの新たなツールを提供開始
高精度かつ堅牢でコスト効率が極めて高いモータの角度センサである誘導型位置センサ （インダクティブポジションセンサ：IPS）ICとして、3つの新製品を発売、量産を開始しました。
コラム
高効率化！小型化！Renesas GaNソリューション
電子回路の小型化と高効率化が求められる現代に注目されている「GaNパワーデバイス」。ルネサスエレクトロニクスが提供する GaN ソリューションの強みや適用例を紹介します。
ブランドパーパス
