Manufactures & Partners
ルネサス エレクトロニクス株式会社
最新トピック
【2月26日】萩原エレクトロニクスウェビナー開催のお知らせ
「インダクティブ ポジション センサ(IPS)徹底解説」 車載システムを中心に需要が高まるポジション検出。各方式の基礎から、ルネサス製インダクティブポジションセンサの特長・優位性、アプリ事例、デモなど解説します。開発でノイズ・精度・サイズに課題のある方におすすめです。
コラム
シリコンを超える性能! Renesas GaNスイッチの秘密
ルネサスエレクトロニクスのGaNパワースイッチについて、その構造や動作原理、逆回復特性を解説した技術コラムを公開しました。 本コラムでは、低耐圧Si MOSFETとGaN HEMTを組み合わせたカスコード構成の特徴や、順方向・逆方向それぞれの動作モードに加え、実測データに基づく逆回復特性試験の結果を紹介しています。 特に、従来のSi MOSFET(CoolMOS)との比較により、ルネサスGaNスイッチの低Qrr特性と高速スイッチング時のメリットを分かりやすく解説しています。 インバータ回路やトーテンポールPFCなど、高速・高効率が求められる電源設計に携わる方は、ぜひご覧ください。
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