Renesas Blog
ルネサスブログ
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RAファミリを拡充し、ローエンドのRA0シリーズ第二弾として、動作温度範囲と搭載メモリを拡大した「RA0E2」を発売 ～RA0シリーズの特長を継承し、バッテリ駆動機器やコスト重視のアプリケーションに最適～
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ルネサス初、車載用Bluetooth Low Energy対応SoC「DA14533」を発売 ～小型で低消費電力かつシステムコストの低減が可能なBluetooth LE 5.3対応の車載グレードSoC～
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高度なビジョンAIを高い電力効率で実現する、 DRP-AIアクセラレータ搭載ミッドレンジのAI MPU「RZ/V2N」を発表
ルネサス エレクトロニクス株式会社（以下ルネサス）は、このたび、ルネサス独自のAIアクセラレータ「DRP（動的再構成プロセッサ）-AI」を内蔵したマイクロプロセッサ（MPU）「RZ/Vシリーズ」を拡充し、メインストリーム製品となるミッドレンジの「RZ/V2N」を発表しました。 最新のAIアクセラレータ「DRP-AI3」を搭載し、ルネサス独自の枝刈り技術により最大15 TOPSのAI性能を実現。RZ/V2Nの追加により、RZ/Vシリーズのラインアップが出揃いました。RZ/V2N の量産と発売は、2025年3月19日から開始しました。
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産業・民生用リチウムイオンバッテリ設計期間を大幅に短縮するオールインワンのバッテリマネジメントソリューションを発売
ルネサス エレクトロニクス株式会社（以下ルネサス）は、このたび、ルネサス独自のAIアクセラレータ「DRP（動的再構成プロセッサ）-AI」を内蔵したマイクロプロセッサ（MPU）「RZ/Vシリーズ」を拡充し、メインストリーム製品となるミッドレンジの「RZ/V2N」を発表しました。 最新のAIアクセラレータ「DRP-AI3」を搭載し、ルネサス独自の枝刈り技術により最大15 TOPSのAI性能を実現。RZ/V2Nの追加により、RZ/Vシリーズのラインアップが出揃いました。RZ/V2N の量産と発売は、2025年3月19日から開始しました。
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ルネサスとAltium、ソフトウェア定義型製品開発向けに革新的なプラットフォーム「Renesas 365 Powered by Altium」を発表
ルネサス エレクトロニクス株式会社（以下ルネサス）と電子機器設計のグローバルリーダーであるAltium Limited（以下Altium、読み：アルティウム）は、シリコン（半導体製品）の選定からシステムライフサイクルマネジメントまでの電子機器開発を効率化する業界初のプラットフォーム「Renesas 365 Powered by Altium」（以下Renesas 365）を発表しました。
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タッチキーとセグメントLCDおよび堅牢なセキュリティ機能を備えた超低消費電力マイコン「RA4L1」を発表
ルネサス エレクトロニクス株式会社（以下ルネサス）は、このたび、 RA4シリーズに初めてローパワーグループ「RA4L1」を発売、量産を開始しました。Armのセキュリティ技術TrustZoneをサポートするCortex®-M33コアを搭載。独自の低消費電力技術により、動作周波数80MHzのアクティブモードで168µA/MHz、スタンバイモードでSRAM保持状態で1.70µAを実現。HMI（Human Machine Interface）用に静電容量式タッチキー機能と、簡易表示用にセグメントLCDコントローラも搭載しました。
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新プロセス構造を採用したMOSFETの第一弾、100V耐圧製品を発売
ルネサス エレクトロニクス株式会社（以下ルネサス）は、このたび、100V耐圧のNチャネルMOSFETの新製品として、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」とTOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売、量産を開始しました。ルネサスが新たに開発したスプリットゲート構造の新プロセス（REXFET-1）により、既存プロセス（ANM2）の製品（RBA250N10CHPF）と比較して、オン抵抗（MOSFETがオンの状態で生じる抵抗）を30％低減、ゲート総電荷量（Qg特性）を10％削減、ゲート・ドレイン間電荷量（Qgd特性）も40％削減しており、スイッチング電源、モータ制御用インバータ、バッテリマネジメントシステムなど電流負荷の大きいアプリケーションにおける電力損失の削減を実現すると共に、電気自動車、電動自転車、充電ステーション、電動工具等の製品の性能向上に貢献します。
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