Renesas Blog

ルネサスブログ

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コラム

シリコンを超える性能! Renesas GaNスイッチの秘密

ルネサスエレクトロニクスのGaNパワースイッチについて、その構造や動作原理、逆回復特性を解説した技術コラムを公開しました。 本コラムでは、低耐圧Si MOSFETとGaN HEMTを組み合わせたカスコード構成の特徴や、順方向・逆方向それぞれの動作モードに加え、実測データに基づく逆回復特性試験の結果を紹介しています。 特に、従来のSi MOSFET(CoolMOS)との比較により、ルネサスGaNスイッチの低Qrr特性と高速スイッチング時のメリットを分かりやすく解説しています。 インバータ回路やトーテンポールPFCなど、高速・高効率が求められる電源設計に携わる方は、ぜひご覧ください。

製品情報

クロスドメインアプリケーションに最適な車両制御用MCU RH850/U2A

RH850/U2AはRH850/P1xシリーズ、RH850/F1xシリーズの主要機能を継承、400MHzのCPU4コア(ロックステップ対応)を最大4つ搭載し性能を向上されたMCUです。 性能と安全性が要求されるブレーキシステム、ZONE/Domain ECU、Gateway、BCMなどのアプリケーションに最適です。

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コラム

高効率化!小型化!Renesas GaNソリューション

電子回路の小型化と高効率化が求められる現代に注目されている「GaNパワーデバイス」。ルネサスエレクトロニクスが提供する GaN ソリューションの強みや適用例を紹介します。