Renesas Blog
ルネサスブログ
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【ルネサス技術コラム】低消費電力での駆動を実現するBLE/NFCの活用事例と製品のご紹介
本記事では、身近な無線通信であるBLE（Bluetooth Low Energy）とNFCについて、低消費電力という観点から整理し、Renesas製品の活用事例や製品ラインナップまでを解説します。
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【ルネサス技術コラム】車載用途におけるUSB-CとパワーMOSFET
車載用途におけるUSB-CとパワーMOSFETについて解説した技術コラムを公開しました。USB-C（USB-PD）は最大240W まで扱える電力インターフェースへと進化し、近年は車載機器への採用も急速に拡大しています。 USB-C（USB-PD）の最新規格動向と電源アーキテクチャ、高出力化を支える核心部品であるパワーMOSFET の役割や選定ポイントについて解説です。
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【ルネサス技術コラム】磁石不要で高精度な位置検出を実現するインダクティブポジションセンサ（IPS）とは
ルネサスの非接触位置センサは磁石不要で低コストかつ耐浮遊磁界性を実現。誘導型で360°角度検出に対応し、車載や産業用途で磁気・光学式エンコーダの代替となる。
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【ルネサス技術コラム】デジアナ混載プログラマブルIC「GreenPAK（GPAK）」とは
GreenPAK™は、不揮発性メモリを搭載した低コストで柔軟にカスタマイズ可能なデバイス。複数のシステム機能を1チップに統合し、部品点数や消費電力を削減。無償GUIと開発キットで短時間設計が可能。
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電子部品超入門２「基板」の実装
電子基板（プリント基板）の実装の基本工程について解説します。表面実装・挿入実装の違いや、実装不良の代表例にも触れ、電子回路の基礎を分かりやすく紹介しています。
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シリコンを超える性能！ Renesas GaNスイッチの秘密
ルネサスエレクトロニクスのGaNパワースイッチについて、その構造や動作原理、逆回復特性を解説した技術コラムを公開しました。 本コラムでは、低耐圧Si MOSFETとGaN HEMTを組み合わせたカスコード構成の特徴や、順方向・逆方向それぞれの動作モードに加え、実測データに基づく逆回復特性試験の結果を紹介しています。 特に、従来のSi MOSFET（CoolMOS）との比較により、ルネサスGaNスイッチの低Qrr特性と高速スイッチング時のメリットを分かりやすく解説しています。 インバータ回路やトーテンポールPFCなど、高速・高効率が求められる電源設計に携わる方は、ぜひご覧ください。
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高効率化！小型化！Renesas GaNソリューション
電子回路の小型化と高効率化が求められる現代に注目されている「GaNパワーデバイス」。ルネサスエレクトロニクスが提供する GaN ソリューションの強みや適用例を紹介します。
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